基于三耦合变压器储罐的21-24 GHz低相位噪声mmWave VCO及第三谐波扩张
信号处理
2026-04-30 v1
摘要
本工作提出一种六阶级三耦合变压器储罐设计，用于mmWave VCO的第三谐波扩张。与传统第四阶储罐相比，所提储罐固有地支持三种共振模式，无需额外低Q开关容量调谐元件即可实现宽带第三谐波扩张。与传统class-F23设计不同，所提VCO去除头部共振器，采用噪声循环核心以降低面积的同时保持低相位噪声。采用TSMC 65 nm CMOS实现后，仿真结果显示21.03-23.99 GHz(13.5%)的调谐范围，最低相位噪声为-116.25 dBc/Hz(1 MHz偏移量)，FoM/FoMT/FoMA分别为195.86/198.24/212.31 dBc/Hz，功耗为5.4 mW，占地面积为0.02268 mm2。
关键词
引用
@article{arxiv.2604.26405,
title = {A 21-24 GHz Low-Phase-Noise mmWave VCO with Third-Harmonic Expansion using a Triple-Coupled Transformer based Tank},
author = {Narahari N. Moudhgalya},
journal= {arXiv preprint arXiv:2604.26405},
year = {2026}
}