基于远程Pt缓冲生长的高速PZT-on-SOI电光调制器的三维极化与驱动机制
光学
2023-05-31 v1 材料科学
摘要
在这项工作中，我们展示了一种通过以金属(Ti/Pt)为基底材料并优化PZT的生长方法以及PZT极化结构，从而在C波段强度调制器中增强电光相互作用的新方法。此处，我们使用图形化Pt层进行PZT沉积，而非缓冲层。通过优化PZT生长工艺，我们能够对所制备的PZT薄膜进行任意方向的极化，并实现了增强的电光相互作用，在基于Si的MZI上获得了304 pm/V的直流谱移和0.6 V-cm的VπLπ值。对于电光调制器，我们报道了使用钙钛矿作为有源材料时直流谱移和VπLπ的最佳值。高速测量得到了受测试设备限制的大于12 GHz的带宽。利用调制深度斜率推算的带宽为45 GHz。我们还通过仿真表明，4.5 μm的优化间隙和1 μm的PZT厚度可带来小于1 V-dB的损耗。
引用
@article{arxiv.2305.19174,
title = {3-D poling and drive mechanism for high-speed PZT-on-SOI Electro-Optic modulator using remote Pt buffered growth},
author = {Suraj and Shankar Kumar Selvaraja},
journal= {arXiv preprint arXiv:2305.19174},
year = {2023}
}
备注
7 pages, 5 figures, 1 Table