采用 QFN 封装并集成片上天线的 274 GHz CMOS 信号发生器
信号处理
2019-06-13 v1
摘要
展示了一款采用方形扁平无引线（QFN）封装并集成片上天线的 274 GHz 信号发生器。该电路采用 65 纳米互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺制造。在 274 GHz 下测得的封装信号发生器有效全向辐射功率（EIRP）为 -12.8 dBm，直流功耗为 26.3 mW。封装材料有助于改善天线性能，且工作频率约 300 GHz 的集成片上天线的集成电路可采用低成本技术进行封装。
引用
@article{arxiv.1906.05117,
title = {274-GHz CMOS Signal Generator with an On-Chip Patch Antenna in a QFN Package},
author = {P. R. Byreddy and Z. Chen and H. S. Bakshi and W. Choi and A. Blanchard and K. K. O},
journal= {arXiv preprint arXiv:1906.05117},
year = {2019}
}
备注
2 pages, 6 figures