MBE生长Al薄膜中的1/f 噪声与两水平系统
材料科学
2025-12-16 v1
摘要
铝薄膜是电子器件和量子器件功能性关键材料，其中两种水平系统（TLS）可降低器件性能。由于其低TLS密度，MBE生长的Al薄膜可能更适用于此类应用。我们通过在80-360 K范围内进行1/f 噪声测量，研究了10 nm厚MBE生长和电子束蒸发Al薄膜中TLS能率分布 g(E)的情况。在300 K时，MBE生长薄膜的噪声幅值约为电子束蒸发薄膜的三倍，这对应于前者中g(E)值约为后者的十倍。与已有观察结果比较，我们确认1/f 噪声由晶体边界上的热激活TLS产生。
引用
@article{arxiv.2507.01850,
title = {1/ f noise and two-level systems in MBE-grown Al thin films},
author = {Shouray Kumar Sahu and Yen-Hsun Glen Lin and Kuan-Hui Lai and Chao-Kai Cheng and Chun-Wei Wu and Elica Anne Heredia and Ray-Tai Wang and Yen-Hsiang Lin and Juainai Kwo and Minghwei Hong and Juhn-Jong Lin and Sheng-Shiuan Yeh},
journal= {arXiv preprint arXiv:2507.01850},
year = {2025}
}
备注
6 pages, 5 figures