孔隙硅量子线光学吸收模型
超导电性
2009-10-31 v1
摘要
本文分析了孔隙硅的光学吸收。这首次明确表明，从Square Root(alpha h nu)对比(h nu)的Tauc图中提取此类低维纳米结构（如孔隙硅）的带隙是不可行的。上述观点同样适用于其他降维系统，如量子线和量子点等。我们假设孔隙硅是一种具有分布式带隙的准一维材料系统。我们指出，解释吸收过程特别需要阐明：(a) 在光学跃迁中不守恒，(b) 这些跃迁的振荡强度取决于吸收发生的纳米结构尺寸，以及(c) 带隙分布显著影响光学吸收。我们还从模型中自然推导出孔隙硅吸收温度依赖性的解释。我们还表明，可通过低吸收区域的透射测量来非破坏性地推断孔隙率。可以轻易地推广本文中的方程，以分析其他低维材料的吸收过程。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9904116,
title = {1/8 Doping Anomalies and Oxygen Vacancies in Underdoped Superconducting Cuprates},
author = {Joshua L. Cohn},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9904116},
year = {2009}
}
备注
6 pages, AIP 6"x9" format, 3 embedded postscript fig.s Proceedings of University of Miami Conference (HTS99), 7-13 Jan., 1999