射频点接触静电计
介观与纳米尺度物理
2007-08-21 v1
摘要
我们制造并表征了一种射频半导体点接触静电计 (RF-PC)，其类似于射频单电子晶体管 [RF-SETs, 见 Science {\bf 280}, 1238 (1998)]。该点接触由 AlGaAs/GaAs 异质结构中二维电子气 (2DEG) 的表面肖特基栅极形成。在当前设置中，PC 作为简单的压控电阻器而非量子点接触 (QPC) 运行，并在不使用低温射频前置放大器的情况下，在 带宽下展示了约 的电荷灵敏度。由于典型点接触器件的阻抗远低于典型 SET 的阻抗，配备实用低温射频前置放大器的基于半导体的 RF-PC 有望实现超快且超灵敏的静电计。
引用
@article{arxiv.0708.2473,
title = {Radio-frequency point-contact electrometer},
author = {Hua Qin and David A. Williams},
journal= {arXiv preprint arXiv:0708.2473},
year = {2007}
}
评论
11 pages, 3 figures. This article is identical to the version that appeared in Appl. Phys. Lett. 88, 203506 (2006). The published version can be found at http://apl.aip.org/