Bethe晶格上随机场Ising模型中的零温磁滞
统计力学
2009-10-28 v2
摘要
我们考虑了在均匀外场存在下，Bethe晶格上随机场Ising模型在零温度下的单自旋翻转动力学。我们通过建立自洽场方程来确定当外场从负无穷变化到正无穷时的平均磁化强度，并证明这些方程在这种情况下是精确的。我们发现，对于3配位的Bethe晶格，对于任意小的高斯无序，磁化强度没有跳跃不连续，但对于更大的配位数，不连续性是存在的。我们通过蒙特卡洛模拟验证了我们的结果，该模拟采用了一种在Bethe晶格上模拟经典相互作用系统的技术，完全避免了表面效应。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9611028,
title = {Zero-temperature Hysteresis in Random-field Ising Model on a Bethe Lattice},
author = {Deepak Dhar and Prabodh Shukla and James P. Sethna},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9611028},
year = {2009}
}
备注
latex file with 5 eps figures. This version is substantially revised with new material. Submitted to J. Phys. A