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Xe@C60、Xe@C240 及 Xe@C60@C240 中的 Xe 4d 光电离

原子物理 2015-05-30 v1

作者: V. K. Dolmatov , D. A. Keating

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摘要

提出了重新评估的内嵌富勒烯光电离方势阱模型参数，并利用这些参数揭示了从 Xe@C60 到 Xe@C240 再到多壁 Xe@C60@C240 路径上 Xe 4d 光电离巨共振的显著变化。

关键词

光电离内嵌富勒烯 Xe 4d 巨共振方势阱受限效应多壁富勒烯

引用

@article{arxiv.1109.5292,
  title  = {Xe 4d photoionization in Xe@C60, Xe@C240, and Xe@C60@C240},
  author = {V. K. Dolmatov and D. A. Keating},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1109.5292},
  year   = {2015}
}

备注

1 page, 1 figure. 2011 International Conference on Photonic, Electronic, and Atomic Collisions (Belfast, UK, 2011), abstract Tue131