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I$^+$ 的光致电离

原子物理 2008-11-18 v1

摘要

本文使用我们最近发展的带交换的随机相近似(RPAE)方法,研究了 4d 巨共振能量范围内 I+^+ 离子的光致电离。针对基态的每一项,获得了 I+^+4dϵf,ϵp4d-\epsilon f, \epsilon p5sϵp5s-\epsilon p5pϵs,ϵd5p-\epsilon s ,\epsilon d 的光致电离截面。计算包含了 4d、5s5s5p5p 亚层之间的所有壳内与壳间耦合。我们得到的 I+^+ 4d 巨共振的最大截面为 90.24 eV 处的 23.12 MB,与最近的测量值(90 eV 处的 23(3))高度吻合。

关键词

引用

@article{arxiv.0811.2715,
  title  = {Photoionization of I$^+$},
  author = {Zhifan Chen and Alfred Z. Msezane},
  journal= {arXiv preprint arXiv:0811.2715},
  year   = {2008}
}

备注

8 page 5 figures