I$^+$ 的光致电离
原子物理
2008-11-18 v1
摘要
本文使用我们最近发展的带交换的随机相近似(RPAE)方法,研究了 4d 巨共振能量范围内 I 离子的光致电离。针对基态的每一项,获得了 I 的 、、 的光致电离截面。计算包含了 4d、 和 亚层之间的所有壳内与壳间耦合。我们得到的 I 4d 巨共振的最大截面为 90.24 eV 处的 23.12 MB,与最近的测量值(90 eV 处的 23(3))高度吻合。
引用
@article{arxiv.0811.2715,
title = {Photoionization of I$^+$},
author = {Zhifan Chen and Alfred Z. Msezane},
journal= {arXiv preprint arXiv:0811.2715},
year = {2008}
}
备注
8 page 5 figures