类卤素离子 Kr$^+$和 Xe$^+$的光电离截面计算

B. M. McLaughlin; C. P. Ballance

doi:10.1088/0953-4075/45/8/085701

类卤素离子 Kr$^+$和 Xe$^+$的光电离截面计算

地球与行星天体物理 2012-04-02 v1 原子物理

作者: B. M. McLaughlin , C. P. Ballance

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摘要

利用 Dirac-Coulomb R 矩阵近似下的大规模密耦合计算，对类卤素离子 Kr $^+$ 和 Xe $^+$ 在从各离子阈值至 15 eV 的光子能量范围内进行了光电离截面计算。我们将理论结果与近期在丹麦奥胡斯大学 ASTRID 合并束装置、法国 Saint-Aubin 的 SOLEIL 同步辐射设施的傅里叶变换离子回旋共振 (FT-ICR) 阱方法以及先进光源 (ALS) 进行的测量结果进行了比较。对于这些复杂离子，我们在所研究的光子能量范围内的理论截面结果与实验符合极好。我们将光谱中识别出的显著里德伯共振系列的共振能级位置和量子亏损与这些复杂类卤素离子的实验结果进行了比较。

关键词

光电离截面类卤素离子 Kr$^+$ Xe$^+$ Dirac-Coulomb R 矩阵里德伯共振量子亏损

引用

@article{arxiv.1203.1556,
  title  = {Photoionization cross section calculations for the halogen-like ions Kr$^+$ and Xe$^+$},
  author = {B. M. McLaughlin and C. P. Ballance},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1203.1556},
  year   = {2012}
}

备注

Accepted for publication

类卤素离子 Kr$^+$和 Xe$^+$的光电离截面计算

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