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过渡金属硫族化物中的维格纳结晶:关联能的一种新方法

强关联电子 2017-04-05 v1

摘要

我们提出了一种用于单谷和双谷二维电子气(2DEG)系统关联能的新方法。我们的方法基于高密度下的随机相近似和低密度下的经典方法,并在两个极限之间进行插值。该方法与现有的量子蒙特卡洛(QMC)计算非常吻合。我们采用双谷 2DEG 模型来描述单层过渡金属硫族化物(TMDs)中的电子关联。使用局域密度近似内的密度泛函理论,得到了单层 TMDs 中从费米液体到量子维格纳晶体相的零温相变。与 QMC 一致,我们发现单谷 2DEG 中电子在 rs=30.5r_s=30.5 处结晶。对于双谷,我们预测维格纳结晶发生在 rs=29.5r_s= 29.5,表明谷简并对临界 rsr_s 影响很小,这与早先的主张相反。

关键词

引用

@article{arxiv.1611.03713,
  title  = {Wigner crystallization in transition metal dichalcogenides: A new approach to correlation energy},
  author = {M. Zarenia and D. Neilson and B. Partoens and F. M. Peeters},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1611.03713},
  year   = {2017}
}

备注

5 pages, 3 figures