二维半导体层不对称双层中的弱铁电电荷转移
介观与纳米尺度物理
2021-07-01 v2
摘要
在缺乏反演对称的堆叠构型的二维（2D）半导体双层中，由于层间不对称的能带杂化，层间电荷转移可在层间产生电势差。我们分析了过渡金属二硫属化物（TMDs）——特别是WSe——的双层，发现其具有显著的依赖于堆叠的电荷转移，以及InSe双层，发现其电荷转移可忽略不计。所获得的关于TMDs的信息随后被用于绘制扭转电子学双层中由层间电荷转移产生的势场于moiré超晶格上的分布。
引用
@article{arxiv.2103.06093,
title = {Weak ferroelectric charge transfer in layer-asymmetric bilayers of 2D semiconductors},
author = {F. Ferreira and V. V. Enaldiev and V. I. Fal'ko and S. J. Magorrian},
journal= {arXiv preprint arXiv:2103.06093},
year = {2021}
}
备注
To appear in Scientific Reports