体产生与表面增强型体负离子源
加速器物理
2014-04-04 v1
摘要
H⁻体产生源，尤其是铯化 H⁻体产生源，是产生高强度质子束的重要离子源，进而产生大量其他粒子。本章讨论了 H⁻离子的体产生物理与技术以及铯增强（表面）产生。从 Bacal 发现 H⁻体产生开始，本章简要回顾了某些 H⁻源的发展历程，这些源利用该过程显著增加了 H⁻束流的产生。20 世纪 90 年代，通过添加铯化表面以表面产生的离子补充体产生的离子，实现了另一次显著增长，其他 H⁻源也说明了这一点。最后，重点转向了在成功提升此类源的 H⁻输出和占空比以支持散裂中子源产生 1 MW 质子束方面所获得的经验。
引用
@article{arxiv.1404.0943,
title = {Volume and Surface-Enhanced Volume Negative Ion Sources},
author = {M. P. Stockli},
journal= {arXiv preprint arXiv:1404.0943},
year = {2014}
}
备注
20 pages, contribution to the CAS-CERN Accelerator School: Ion Sources, Senec, Slovakia, 29 May - 8 June 2012, edited by R. Bailey, CERN-2013-007