半导体量子阱中弹道电子的电压可调横向位移

研究了穿过半导体量子阱的弹道电子的横向位移，发现其可为负值也可为正值，这类似于穿过介质板的透射光束的反常横向位移。提出了位移为负的必要条件。结果表明，横向位移不仅依赖于半导体量子阱的结构参数，还依赖于入射角和入射能量。数值计算进一步表明，通过外加电场可以将横向位移从负值调谐为正值。这种电压可调的横向位移可能在量子电子器件中具有潜在应用。