通用界面下驱动半金属中的 Volkov-Pankratov 态

Volkov-Pankratov 态是非拓扑的有质量束缚态，通常出现在双能带半金属中两个相邻区域之间的平滑界面处，在该界面两侧能隙参数平滑地改变符号。在本工作中，我们表明，即使对于没有任何符号反转的通用平滑界面，这些模式也可以被人工诱导产生。我们考虑三重和二重拓扑半金属，其中两个相邻区域被具有不同相位的光照射。我们证明，在特定的参数区间内，即使能隙项没有任何符号变化，该界面也能表现出非对称的 Rosen-Morse 势阱。这样的量子阱可以容纳多个 Volkov-Pankratov 态。我们还指出，即使在石墨烯这样的双能带二维半金属中，如果诱导的是动量偏移而不是能隙开启，Volkov-Pankratov 态也能出现。最后，我们讨论了这些界面量子阱上的输运特征。我们注意到，尽管 Ramsauer-Townsend 效应出现在对称型 Pöschl-Teller 势阱上，但该效应在非对称 Rosen-Morse 势阱上并不存在。我们揭示，在周期性驱动的石墨烯中，仅通过控制光参数即可实现从单位透射到单位反射的转变。我们观察到，单位反射现象具有方向敏感性；即，只有来自某一特定侧（左侧或右侧）的入射电子才能被完美反射而没有任何透射。