合成 Andreev 带中拓扑界面态的参量放大
介观与纳米尺度物理
2021-06-09 v1 超导电性
光学
摘要
受驱耗散非线性光子系统（如激子-极化激元）可工作于带隙超流态。我们从理论上证明，线性波在该超流上的反射是电子在超导体上 Andreev 反射的类似物。发现由两个超流包围的正常区承载类 Andreev 束缚态。这些束缚态随两个超流间相位差形成拓扑合成带。改变正常区宽度可反转带拓扑并创造“界面”态。合成带并未展示线性交叉，而是被玻色系统的非线性非厄米耦合所吸引，从而产生自放大的强占据拓扑态。
引用
@article{arxiv.2012.05709,
title = {Parametric amplification of topological interface states in synthetic Andreev bands},
author = {Ismael Septembre and Sergei Koniakhin and Julia Meyer and Dmitry Solnyshkov and Guillaume Malpuech},
journal= {arXiv preprint arXiv:2012.05709},
year = {2021}
}