带电赝标介子轻子衰变中的虚光子发射

我们研究辐射轻子衰变 $P\to\ell\nu_\ell\,\ell^{\prime\,+}\ell^{\prime\,-}$，其中 $P$ 为赝标介子，$\ell$ 与 $\ell^\prime$ 为带电轻子。在此类衰变中，发射的光子为离壳的，并且除“点状”贡献（虚光子作为点状粒子从轻子或介子发射）外，还有四个结构相关（SD）形状因子对振幅有贡献。我们提出提取 SD 形状因子的策略，并在介子衰变四个道（$\ell,\ell^\prime=e,\mu$）衰变率的探索性格点计算中予以实现。正是 SD 形状因子描述了虚光子与衰变介子内部强子结构之间的相互作用，我们在程序中分离了振幅中的 SD 与点状贡献。我们证明形状因子可以较好精度提取，且尽管模拟中使用了非物理夸克质量（$m_\pi\simeq 320\,$MeV 与 $m_K\simeq 530\,$MeV），衰变率结果与实验数据（对已有数据的道）在半定量上合理一致。在此准备性工作之后，我们未来工作的重点将放在获得物理夸克质量下的结果，并控制与离散化和有限体积误差相关的系统不确定性。