带电赝标量介子的轻子衰变 - 2015

我们综述了 $\pi^\pm$、$K^\pm$、$D^{\pm}$、$D_s^\pm$ 和 $B^\pm$ 赝标量介子的纯轻子衰变物理。测得的衰变率与组成夸克的基于弱相互作用的 CKM 矩阵元以及介子中夸克与反夸克波函数重叠相关的强相互作用参数（称为衰变常数 $f_P$）的乘积有关。$\pi^\pm$、$K^\pm$、$D^{\pm}$、$D_s^\pm$ 和 $B^\pm$ 介子的轻子衰变常数可通过 {\it ab initio} 格点 QCD 模拟以受控的理论不确定度和高精度获得。实验轻子衰变率测量与理论衰变常数计算相结合，使得在标准模型内确定 CKM 矩阵的若干元素成为可能。这些确定与从半轻子衰变获得的那些具有竞争力，并且也是互补的，因为它们对不同的夸克味改变电流敏感。它们也可用于检验 CKM 矩阵第一行和第二行的幺正性。反之，取幺正性预测的 CKM 元素，可以推断与理论比较的 $f_P$ 的“实验”值。这些提供了对格点 QCD 方法的检验，前提是新物理对轻子衰变的贡献在当前精度水平下可忽略。本综述是粒子数据组 2016 版文章的基础，更新了文献 [1-3] 中的版本。