STM电流激发下Si(001)表面二聚体的振动
凝聚态物理
2009-11-10 v1
摘要
研究了STM电流激发下Si(001)表面二聚体的振动。我们通过哈密顿量描述该系统，其中电子-振动耦合项为关键要素。为表征由STM电流引起的振动态间转移速率，我们引入振动有效温度，该有效温度不同于基片温度。有效温度的行为随基片温度和STM电流呈高度非线性依赖，在基片温度约50K处呈现质性变化。 在低温下，有效温度显著偏离基片温度，达到典型STM电流值下的几百开尔文。在较高基片温度下，有效温度趋于基片温度。基于这些有效温度的行为，我们解决了STM观察中c(4×2)有序态下二聚体镜像对称-非对称性交叉的谜题。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0309210,
title = {Vibration of the Dimer on Si(001) Surface Excited by STM Current},
author = {Hiroshi Kawai and Osamu Narikiyo},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0309210},
year = {2009}
}