PTCDA在Sn-Ag表面合金上的垂直成键距离与界面能带结构
介观与纳米尺度物理
2020-09-02 v1
摘要
分子材料为新型电子与自旋电子器件提供了多种多样的功能。改变或替换有机分子或金属衬底的独特可能性，为针对几乎任何期望应用领域修改和优化界面性质提供了机会。为此，我们拓展了通过表面合金化控制分子界面的成功方法。我们给出了典型分子PTCDA与生长在Ag(111)单晶表面上的Sn-Ag表面合金之间所形成的界面的结构与电子性质的全面表征。我们利用正入射X射线驻波技术结合动量分辨光电子能谱，监测一层PTCDA吸附后表面合金原子的吸附高度变化和电子价带结构变化。我们发现，与我们先前关于PTCDA在PbAg表面合金上的研究[Phys. Rev. Lett. 117, 096805 (2016)]相反，SnAg表面合金的垂直起伏和表面能带结构不会被一层PTCDA的吸附所改变。此外，PTCDA的垂直吸附几何结构以及界面能级对齐表明分子与表面合金之间不存在任何化学相互作用。我们将这些PTCDA/表面合金界面上的不同相互作用归因于PTCDA氧原子与表面原子之间局域键的有无。将我们的发现与文献结果相结合，我们得以提出一条通过有机分子吸附来设计合金表面能带结构的经验规则。
引用
@article{arxiv.2002.01831,
title = {Vertical bonding distances and interfacial band structure of PTCDA on a Sn-Ag surface alloy},
author = {Johannes Seidel and Leah L. Kelly and Markus Franke and Christian Kumpf and Mirko Cinchetti and Martin Aeschlimann and Benjamin Stadtmüller},
journal= {arXiv preprint arXiv:2002.01831},
year = {2020}
}