单层四方碳化硅中的多变电子性质与奇异边缘态
材料科学
2016-01-12 v1
摘要
通过密度泛函理论(DFT)计算提出了三种单层四方碳化硅(SiC)，称为T1、T2和T3。尽管这三种结构具有相同的拓扑几何，它们展现出从半导体(T1)、半金属(T2)到金属(T3)的多变电子性质。这些多变性质源于Si与C原子间丰富的键合。三种SiC的纳米带也展现出有趣的电子性质。特别地，T1纳米带具有奇异边缘态，其中电子仅分布在一条边缘的硅或碳原子上。由于边缘态之间无相互作用，T1纳米带的带隙保持不变。
引用
@article{arxiv.1601.02214,
title = {Versatile electronic properties and exotic edge states in single-layer tetragonal silicon carbides},
author = {Chao Yang and Yuee Xie and Li-Min Liu and Yuanping Chen},
journal= {arXiv preprint arXiv:1601.02214},
year = {2016}
}