GaAs 的变分量子蒙特卡洛基态
mtrl-th
2009-10-30 v1 chem-ph
材料科学
摘要
报道了针对块体 GaAs 半导体的变分量子蒙特卡洛计算，以给出基态能量、晶格常数、体模量及一些衍生性质的值。统计精度显著高于与实验值之间剩余的差值，特别是对于总能量上限。与实验的符合程度令人满意。结果也与密度泛函计算的结果进行了比较。我们结果的精度可与其中最好的那些计算相媲美。
引用
@article{arxiv.mtrl-th/9607009,
title = {Variational quantum Monte Carlo ground state of GaAs},
author = {H. Eckstein and W. Schattke and M. Reigrotzki and R. Redmer},
journal= {arXiv preprint arXiv:mtrl-th/9607009},
year = {2009}
}
备注
5 pages RevteX, 1 Postscript figure in press Phys. Rev. B (15 Aug 96)