基于捕获离子设备的变分 Gibbs 态准备
量子物理
2026-03-05 v1
摘要
我们在IonQ的量子计算机上实现了一个用于横场 Ising 模型 Gibbs 态准备的变分量子算法。为此，我们通过经典仿真训练变分参数，并在量子设备上进行态测量，以评估所准备Gibbs 态的保真度。主要结果表明，随着系统的反温度 的增加，保真度会以非单调方式下降。保真度随系统规模的增加也会下降。有趣的是，我们发现为特定 准备的Gibbs 态是对为 准备的Gibbs 态的更好表征；也就是说，量子硬件中的热力学波动导致数字加热，即所准备Gibbs 态的温度高于原本意图。
引用
@article{arxiv.2603.03801,
title = {Variational Gibbs State Preparation on Trapped-Ion Devices},
author = {Reece Robertson and Mirko Consiglio and Josey Stevens and Emery Doucet and Tony J. G. Apollaro and Sebastian Deffner},
journal= {arXiv preprint arXiv:2603.03801},
year = {2026}
}