蒸镀速率改变蒽基有机半导体的各向异性玻璃态结构
材料科学
2022-01-26 v1 软凝聚态物质
摘要
我们通过改变蒸镀速率和基底温度，控制有望用于未来 OLED 材料的氘代蒽衍生物 ABH113 的蒸镀玻璃的各向异性分子堆积。我们发现，在 0.65Tg 至 0.92Tg 的基底温度下，蒸镀速率显著改变了由 X 射线散射和双折射表征的蒸镀玻璃中的取向序。两种各向异性序的度量均可由单一的蒸镀速率-基底温度叠加（RTS）描述。这支持了表面平衡机制的适用性，并将 RTS 原理从先前具有液晶序的模型体系推广到非介晶有机半导体。我们发现 ABH113 的蒸镀玻璃相比液相冷却制备的对应物具有显著增强的密度和热稳定性。对于有机半导体，本研究结果为利用蒸镀速率制备具有可控分子堆积的稳定玻璃提供了有效指导。
引用
@article{arxiv.2110.06747,
title = {Vapor deposition rate modifies anisotropic glassy structure of an anthracene-based organic semiconductor},
author = {Camille Bishop and Kushal Bagchi and Michael F. Toney and M. D. Ediger},
journal= {arXiv preprint arXiv:2110.06747},
year = {2022}
}
备注
29 pages, 13 figures. Submitted to the Journal of Chemical Physics