狄拉克半金属中范霍夫奇点诱导的负磁阻
介观与纳米尺度物理
2023-12-12 v1
摘要
负磁阻是狄拉克半金属的一个显著特征，可能由多种机制引起，例如手征反常、塞曼能、量子干涉效应和轨道矩。最近，对狄拉克半金属CdAs薄膜的实验揭示了一种新的负磁阻特征，该特征强烈依赖于样品厚度[T. Schumann, \emph{et al}., Phys. Rev. B 95, 241113(R) (2017)]。这里，我们引入了一种通过态密度中的范霍夫奇点诱导负磁阻的新机制。对磁导率和磁阻实验数据的理论拟合显示出良好的一致性，表明在CdAs薄膜中观察到的负磁阻可归因于范霍夫奇点。这项工作为狄拉克半金属的底层机制提供了新的见解。
引用
@article{arxiv.2312.05918,
title = {Van Hove singularity-induced negative magnetoresistance in Dirac semimetals},
author = {Kai-He Ding and Zhen-Gang Zhu},
journal= {arXiv preprint arXiv:2312.05918},
year = {2023}
}
备注
6 pages, 5 figures