单电子双层石墨烯量子点中的谷弛豫

我们研究了单电子双层石墨烯量子点中由谷间耦合引起的谷弛豫。谷弛豫同时受到通过形变势和键长变化机制的声子发射以及 $1/f$ 电荷噪声的辅助。在谷弛豫时间 $T_1$ 的垂直磁场依赖性中，我们预测在高场下由于电子-声子耦合，$T_1$ 单调减小，这与 Banszerus 等人最近的实验非常吻合。我们发现高场区域中主要的谷弛豫通道是通过形变势的电子-声子耦合。在较低场下，我们预测 $T_1$ 中的峰值可能来自 $1/f$ 电荷噪声与由于键长变化引起的电子-声子散射之间的竞争。我们还发现，对于双层石墨烯中旋转对称的量子点，层间跳跃 $\gamma_3$ 为电荷噪声打开了谷弛豫通道。