α'-NaV2O5 H-T相图的电子结构变化映射
强关联电子
2009-11-07 v1
摘要
我们报告了对α'-NaV2O5进行偏振光谱反射研究，探讨其随温度(4-45 K)和磁场(0-60 T)的变化。由近红外反射率比值ΔR(H)=R(H)/R(H=0 T)测得的层向电子结构变化尤其敏感于相边界。我们利用这些变化绘制了H-T相图。拓扑亮点包括：在T_SG以下观察到两个相边界，34 K相边界在35 T以上呈现增强的曲率，以及令人惊讶的场应用下两次相变都呈现强烈滞后现象。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0103503,
title = {Using electronic structure changes to map the H-T phase diagram of alpha'-NaV2O5},
author = {A. B. Sushkov and J. L. Musfeldt and S. A. Crooker and J. Jegoudez and A. Revcolevschi},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0103503},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 3 figures, PRB accepted