NaV2O5 中的共振拉曼散射:探测其电子结构
强关联电子
2015-06-25 v1
摘要
为探讨 NaVO 中观察到的相变起源及其电子结构,我们测量了在相变温度上下方的激光波长下的拉曼强度。在室温下的偏振拉曼光谱中,我们观察到当激光能量接近 2.7 eV 时,969 声子模式出现共振增强,可能与 (p-d) 电子隧穿带、()-V() 在 3.2 eV 处相关。969 模式源于沿 c 轴的伸缩振动,涉及 V- 键。由于电介质函数 在 1.7 到 5.5 eV 光子能范围内无结构,我们得出结论平面键与伸缩氧原子之间存在强耦合,导致拉曼效率较大。在低温拉曼光谱中,几乎所有在相变温度 T=34 K 以下变为活跃的模式都显示共振行为。最有趣的是 66 和 106 的模式,可能具有磁性起源,约在 1.85 eV(相对于 2.43 eV)处表现出约一个数量级的共振强度增强。这种共振效应可能与 2 eV 附近的弱吸收带相关。最后,在大多数 (bb) 低温模式的光谱中,发现共振与非共振贡献之间的破坏性干涉(即反共振)。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9907237,
title = {Resonant Raman scattering in NaV2O5 as a probe of its electronic structure},
author = {M. J. Konstantinovic and Z. V. Popovic and T. Ruf and M. Cardona and A. N. Vasil'ev and M. Isobe and Y. Ueda},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9907237},
year = {2015}
}
备注
to be publish in physica status solidi (proceedings issue of ICSSS)