重堆叠 TaS_2 纳米片中上临界场 B_{c2} 与 T_c 在倾斜磁场下的反常演化
超导电性
2018-07-20 v2 材料科学
摘要
最近我们报道了重堆叠单层 TaS_2 纳米片相比于块体 TaS_2 的超导电性增强，指向低维体系的奇异物理性质。此处我们沿不同方向施加磁场来调控该体系的超导性质，其中在该体系中发现了强烈的 Pauli 顺磁自旋分裂效应。重要的是，在倾斜外磁场下观察到上临界场 B_{c2} 相对于 Ginzburg-Landau (GL) 模型和 Tinkham 模型反常增强高达 3.8 倍。此外，在固定面外场时，我们发现超导转变温度 T_c 可通过增大面内场而增强，并形成穹顶形相图。我们提出了一个考虑含褶皱特殊微结构的扩展 GL 模型来描述该结果。无反演中心的重堆叠晶体结构以及强自旋轨道耦合也可能对我们的观测起重要作用。
引用
@article{arxiv.1712.07763,
title = {Unusual evolution of B_{c2} and T_c with inclined fields in restacked TaS_2 nanosheets},
author = {Yonghui Ma and Jie Pan and Chenguang Guo and Xuan Zhang and Lingling Wang and Tao Hu and Gang Mu and Fuqiang Huang and Xiaoming Xie},
journal= {arXiv preprint arXiv:1712.07763},
year = {2018}
}
备注
21 pages, 4 figures, 1 table, Supplementary Information available upon request