半满CuO_2平面的电子结构普适性
强关联电子
2009-11-07 v1
摘要
我们展示了来自绝缘A_2CuO_2X_2 (A=Sr, Ca; X=Cl, Br)、Sr_2Cu_3O_4Cl_2和Bi_2Sr_2MCu_2O_8 (M=Er, Dy)单晶的角分辨光电子能谱(ARPES)数据，这些数据表明半满铜氧化物低能电子结构与顶端原子无关。通过对Ca_2CuO_2Cl_2进行光子能量依赖性研究，我们能够区分本征特征与光电子能谱矩阵元素导致的特征。我们发现色散与光子能量无关，而反铁磁区边界两侧电子占据概率的不对称性对光子能量的变化具有鲁棒性。最后，我们表明绝缘体中沿反铁磁区边界存在的d波样色散在节点方向附近并不完全符合简单的d波函数形式。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0209651,
title = {Universality of the Electronic Structure from a Half Filled CuO_2 Plane},
author = {F. Ronning and C. Kim and K. M. Shen and N. P. Armitage and A. Damascelli and D. H. Lu and D. L. Feng and Z. -X. Shen and L. L. Miller and Y. -J. Kim and F. Chou and I. Terasaki},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0209651},
year = {2009}
}
备注
15 pages, 18 figures; A high quality pdf is available at http://helios.physics.utoronto.ca/~fronning/RonningInsResub.pdf (2.8MB)