具有垂直各向异性的Ta/CoFeB/MgO器件中电场下的通用畴壁动力学
材料科学
2019-09-25 v2 介观与纳米尺度物理
应用物理
摘要
铁磁/氧化物介电结构中的电场效应为以低功耗控制畴壁（DW）动力学提供了新途径。然而，迄今为止，仅在蠕变区域观察到电场对畴壁速度的影响，在该区域由于与钉扎位点的强相互作用，畴壁速度较低。在这里，我们展示了在具有垂直磁各向异性的Ta/Co40Fe40B20/MgO/TiO2结构中，从蠕变区到流动区的畴壁速度的栅压调制。我们通过考虑与电场成线性关系的有效磁场，给出了在各种钉扎依赖区域中施加电场作用的通用描述。此外，发现电场效应在Walker regime中改变符号。我们的工作为研究和优化铁磁金属/绝缘体界面的电场效应开辟了新的机遇。
引用
@article{arxiv.1411.5267,
title = {Universal domain wall dynamics under electric field in Ta/CoFeB/MgO devices with perpendicular anisotropy},
author = {Weiwei Lin and Nicolas Vernier and Guillaume Agnus and Karin Garcia and Berthold Ocker and Weisheng Zhao and Eric E. Fullerton and Dafiné Ravelosona},
journal= {arXiv preprint arXiv:1411.5267},
year = {2019}
}
备注
21 pages, 6 figures