V$_2$O$_3$ 中无局部结构短程畸变的均匀结构相变
强关联电子
2021-11-30 v2
摘要
VO 是典型的强关联电子系统，在 160 K 附近表现出金属-绝缘体转变。本文通过对中子和 X 射线全散射数据的对分布函数（PDF）分析，研究了 VO 的局部结构。在观测到的 PDF 中，菱方到单斜的结构相变表现为所有长度尺度上的突变。在相变温度之上未发现局部结构的单斜畸变，尽管在 150 K 至 160 K 之间观察到了相分离的菱方和单斜对称性共存的区域。相变温度之上缺乏结构涨落，这与高温态中已知存在的磁涨落形成对比，表明在相变机制中，晶格自由度的作用次于自旋自由度。
引用
@article{arxiv.2109.04436,
title = {Uniform structural phase transition in V$_2$O$_3$ without short-range distortions of the local structure},
author = {Ethan R. A. Fletcher and Kentaro Higashi and Yoav Kalcheim and Hiroshi Kageyama and Benjamin A. Frandsen},
journal= {arXiv preprint arXiv:2109.04436},
year = {2021}
}