具有带隙宿主能带的量子点中量子相变的统一理论

我们提出了半填充量子点（QD）耦合到带隙宿主能带的量子相变的统一理论。我们通过附加弱耦合的金属引线扩充能带，这使我们能够使用标准数值重整化群技术分析系统。随后从无附加金属引线的系统中展宽的亚隙谱函数以受控方式外推其基态性质。我们表明，一大类窄带隙半导体的隧穿态密度（TDOS）支持存在从其超导对应物已知的两个不同相。即，以单重态基态为标志的$0$相和以双重态基态为标志的$\pi$相区。为与超导情形保持紧密类比，我们聚焦于TDOS的亚隙谱特征的粒子-空穴不对称性影响。尽管如此，我们也讨论了通过调节QD的填充在实验装置中诱导单重态-双重态量子相变的可能性。此外，对于具有平滑带隙边缘的带隙TDOS函数，我们证明了所有亚隙峰可能泄漏出带隙进入谱的连续部分，这一效应在超导Anderson模型中无对应。