理解 FeSi 的温度与压力依赖电子性质：DFT+DMFT 研究
强关联电子
2021-02-03 v2
摘要
分别使用 DFT+DMFT 和 KKR-CPA 方法研究了受压（通过体积压缩实现）下 FeSi 和 FeSi 的电子结构。带隙随压力增大而变宽表明，实验观察到的 FeSi 绝缘体到金属转变温度应向更高温度移动。KKR-CPA 计算显示了带隙区域中杂质态的存在，预示了半金属性质。随压力增加间隙闭合（在一个自旋通道中）似乎是 Fe 过量样品在低于 50 K 温度下实验观察到半导体到金属转变的原因。发现 Fe 过量位点的磁矩随压力增加从每个 Fe 原子 2.4 （612 Bohr）降至每个 Fe 原子 1.2 （507 Bohr）。此外，对于 FeSi，计算得到的局域自旋磁化率随压力升高呈现与实验结果相似的下降趋势。
引用
@article{arxiv.1907.10566,
title = {Understanding the temperature and pressure dependent electronic properties of FeSi: DFT+DMFT study},
author = {Paromita Dutta and Sudhir K. Pandey},
journal= {arXiv preprint arXiv:1907.10566},
year = {2021}
}