从晶体塑性视角理解电塑性机制
材料科学
2020-01-08 v1
摘要
电塑性被定义为材料在变形过程中通过电脉冲时流变应力的降低。电脉冲期间流变应力的降低归因于三种机制的组合：材料焦耳热导致的软化、位错从顺磁障碍上脱钉，以及作用于位错的电子风作用力。然而，文献中关于各机制所致流变应力降低的相对大小尚无共识。在本文中，我们扩展了一种基于位错密度的晶体塑性模型，以纳入电塑性机制，并在具有随机织构的多晶 FCC 材料压缩变形过程中施加单个电脉冲进行模拟。我们分析了流变应力的降低，以理解电塑性不同机制的相对重要性，并阐明它们对电脉冲与位错运动相关各参数的依赖关系。我们的研究确定，流变应力的降低主要源于位错从顺磁障碍脱钉与焦耳热机制，其相对主导性由对应于特定感兴趣材料的晶体塑性参数的具体选取决定。
引用
@article{arxiv.1906.08150,
title = {Understanding the mechanisms of electroplasticity from a crystal plasticity perspective},
author = {Arka Lahiri and Pratheek Shanthraj and Franz Roters},
journal= {arXiv preprint arXiv:1906.08150},
year = {2020}
}
备注
21 pages, 8 figures