室温下单层半导体微腔中的超低阈值极化激元凝聚体

原子级薄的过渡金属硫族化合物具有依赖于谷的功能特性，这些特性通常仅在低温下可用，受限于各种谷去极化散射。通过相干叠加激子与微腔光子形成激子极化激元，有望利用谷极化的极化激元-极化激元相互作用来制造新型谷电子学器件。已在室温下的过渡金属硫族化合物微腔中证实了稳定的激子极化激元，然而相干的极化激元激射与凝聚仍难以实现。在此，我们首次展示了在室温下过渡金属硫族化合物微腔中实现激子极化激元凝聚。连续波泵浦的激子极化激元凝聚与激射具有超低阈值，其证据为基态的宏观占据、发射的非线性增加与连续的蓝移、空间相干性的建立，以及失谐控制的阈值。我们的工作向在室温下利用非线性极化激元-极化激元相互作用及具有谷功能的极化激元器件迈出了至关重要的一步。