二维VSe$_2$中绝缘体-金属相变的超快触发
材料科学
2021-06-02 v1 强关联电子
摘要
在二维（2D）极限下组装过渡金属硫族化物（TMDCs）是调控诸如超导或电荷密度波（CDWs）等新兴物质态的一种有前景的方法。单层（SL）VSe在这方面尤为突出，因为它表现出相比块体显著增强的CDW转变且转变温度更高，此外还存在费米能级处具有各向异性能隙的绝缘相，导致材料中预期的2D铁磁性受到抑制。在此，我们利用超快泵浦-探测光电子能谱研究了支撑SL VSe中这些电子相的电子与晶格自由度的相互作用。在绝缘态中，我们观察到能隙在480 fs时间尺度上的光致闭合，并将其与随后的热载流子动力学区分开。我们的工作由此揭示SL VSe中的相变由电子-晶格耦合驱动，并展示了利用光控制2D材料中电子相的潜力。
引用
@article{arxiv.2007.13355,
title = {Ultrafast triggering of insulator-metal transition in two-dimensional VSe$_2$},
author = {Deepnarayan Biswas and Alfred J. H. Jones and Paulina Majchrzak and Byoung Ki Choi and Tsung-Han Lee and Klara Volckaert and Jiagui Feng and Igor Marković and Federico Andreatta and Chang-Jong Kang and Hyuk Jin Kim and In Hak Lee and Chris Jozwiak and Eli Rotenberg and Aaron Bostwick and Charlotte E. Sanders and Yu Zhang and Gabriel Karras and Richard T. Chapman and Adam S. Wyatt and Emma Springate and Jill A. Miwa and Philip Hofmann and Phil D. C. King and Young Jun Chang and Nicola Lanata and Søren Ulstrup},
journal= {arXiv preprint arXiv:2007.13355},
year = {2021}
}
备注
23 pages including supplementary information, 3 figures in the main text and 6 figures in the supplemental text