PdSe2 薄膜中缺陷辅助俄歇过程的超快动力学：缺陷俘获与俄歇效应的协同作用
介观与纳米尺度物理
2022-02-01 v1 强关联电子
摘要
二维体系中强库仑相互作用与量子限制一起，使多体过程对载流子动力学尤为有效，这在决定材料的载流子寿命、光电导和发射产率方面起着关键作用。为此，我们利用光学泵浦和太赫兹探测光谱研究了不同厚度 PdSe2 薄膜中的光生载流子动力学。实验结果表明，光生载流子弛豫由两个分量组成：一个 2.5 ps 的快速分量，显示层厚无关性；一个慢分量具有 7.3 ps 的典型寿命并随层厚减小。令人惊讶的是，快、慢两个分量的弛豫时间均表现出与泵浦注量和温度无关，这表明缺陷俘获与俄歇效应之间的协同相互作用主导了 PdSe2 薄膜中的光生载流子动力学。我们提出了一个涉及缺陷辅助俄歇过程的模型，能很好地复现实验结果。拟合结果显示，层依赖的寿命由缺陷密度而非光激发后的载流子占据率决定。我们的结果强调了二维半导体中俄歇过程与缺陷之间的相互作用。
引用
@article{arxiv.2201.12768,
title = {Ultrafast Dynamics of Defect-Assisted Auger process in PdSe2 films: Synergistic Interaction Between Defect Trapping and Auger Effect},
author = {Di Li and Wenjie Zhang and Peng Suo and Jiaming Chen and Kaiwen Sun and Yuqin Zou and Hong Ma and Xian Lin and Xiaona Yan and Saifeng Zhang and Bo Li and Guohong Ma},
journal= {arXiv preprint arXiv:2201.12768},
year = {2022}
}
备注
18 pages, 4 figures