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超紧凑 Si/In$_2$O$_3$ 混合等离子体波导调制器实现超 40 GHz 高带宽

应用物理 2022-01-19 v1 光学

摘要

光调制器需要具备高调制带宽和小占位面积。本文中,我们实验演示了一种新型 Si/In2_2O3_3 混合等离子体波导调制器,其由包含硅光子波导与 Si/In2_2O3_3 混合等离子体波导的非对称定向耦合器(ADC)实现。光信号由施加于 MOS 电容器顶部 Au 电极并接触 In2_2O3_3 薄膜的射频(RF)信号调制。通过首次在 3.5-μ\mum 长的非对称定向耦合器(ADC)中集成无硅掺杂的金属-氧化物-In2_2O3_3 电容器,实现了创纪录的高调制带宽 >40 GHz。

关键词

引用

@article{arxiv.2201.06258,
  title  = {Ultra-compact Si/In$_2$O$_3$ hybrid plasmonic waveguide modulator with a high bandwidth beyond 40 GHz},
  author = {Yishu Huang and Jun Zheng and Bingcheng Pan and Lijia Song and Guanan Chen and Zejie Yu and Hui Ye and Daoxin Dai},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2201.06258},
  year   = {2022}
}