绝缘体上硅混合正交结中基于二氧化钒的片上等离子体调制器设计
光学
2020-12-04 v1 应用物理
摘要
我们提出了一种基于混合正交银结、以二氧化钒为调制材料、制备于绝缘体上硅的等离子体调制器。该调制器具有 1.8μm x 1μm 的超紧凑占位面积，其基于正交几何结构的调制区域为 100nm x 100nm。我们利用二氧化钒在相变过程中折射率的巨大变化，实现了 46.89dB/μm 的高调制深度。我们还提供了该器件的制备策略。该器件几何结构在下一代高频光子调制器的开发中具潜在应用价值，这类光通信器件需要纳米级占位面积、大调制深度和低插入损耗。
引用
@article{arxiv.2012.01695,
title = {Design of on-chip plasmonic modulator with vanadium-dioxide in hybrid orthogonal junctions on Silicon-on-Insulator},
author = {Gregory Tanyi and Miao Sun and Ranjith Unnithan},
journal= {arXiv preprint arXiv:2012.01695},
year = {2020}
}
备注
10 pages, 8 figures, to be submitted to IEEE Photonics Technology Letters Journal