基于 n 型掺杂硅与钛酸钡的等离子体吸收电光调制器设计
应用物理
2018-08-23 v1
摘要
本文提出了一种等离子体吸收调制器的数值解，其六层结构由空气上覆层、金层、钛酸钡层、n 型硅层、金层和薄壳纳米晶格氧化铝衬底组成。针对所提出的结构，研究了不同厚度下与吸收调制相关的参数。此处同时考虑了泡克尔斯效应和自由载流子色散效应。该结构的色散关系通过解析获得，并用 Nelder-Mead 方法数值求解。计算出的最大品质因数为 12.79。此外，根据我们的结果可知，该调制器具有很高的能力用于光通信系统。同时，它可集成到微电子系统中，并且与 CMOS 技术兼容。
引用
@article{arxiv.1808.07238,
title = {Design of a Plasmonic Absorption Electro-optical Modulator Based on n-doped Silicon and Barium Titanate},
author = {Purya Es'haghi and Ali Barkhordari and Abolfazl Safaei Bezgabadi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1808.07238},
year = {2018}
}
备注
15 pages, 15 figures