半导体中的双光子吸收：多能带长度规范分析

处理直接带隙半导体中光激发的最简单方法是将它们建模为两能带系统：一个导带和一个价带。对于此类模型，已知存在特别简单的光学响应解析表达式，如多光子吸收系数。本文表明，通用多能带模型并不需要复杂得多的表达式。我们的长度规范分析基于在无所有散射过程情况下的半导体布洛赫方程。在求值中，我们聚焦于通过泵浦-探测方案实现的双光子激发，其可能具有非简并且任意偏振的构型。该理论通过应用于由紧束缚模型描述的石墨烯及其双层，以及由 k.p 理论描述的体 Zincblende 半导体得到验证。