氢化非晶硅中的双能级体系与生长诱导的亚稳性
材料科学
2020-09-04 v2
摘要
对热丝化学气相沉积制备的氢化非晶硅在 2 至 300 K 范围内的比热测量显示，低温下存在很大的过剩比热，显著大于由声速计算的德拜比热。所制备的薄膜具有与无序网络中亚稳氢相关的肖特基反常，以及通常与非晶固体中隧穿双能级体系相关的大线性项和过剩三次项。在 200 {\deg}C 退火（该温度可使氢迁移但不蒸发）会不可逆地降低热容，消除肖特基反常并留下减小的线性热容。除声速外，所有效应均观察到对生长温度和 H 含量的非单调依赖关系，这表明隧穿双能级体系和肖特基反常与原子氢相关，并需要低密度区才能形成，而声速与硅网络相关并随生长温度升高而改善。
引用
@article{arxiv.1809.07908,
title = {Two-level systems and growth-induced metastability in hydrogenated amorphous silicon},
author = {M. Molina-Ruiz and H. C. Jacks and D. R. Queen and Q. Wang and R. S. Crandall and F. Hellman},
journal= {arXiv preprint arXiv:1809.07908},
year = {2020}
}
备注
17 pages, 3 figures, 1 table