钾掺杂单层对-sexiphenyl薄膜中的双杂质Kondo效应
强关联电子
2021-09-07 v1
摘要
我们表明，金衬底上钾（K）掺杂单层对-sexiphenyl（PSP）薄膜的自组装相是研究双杂质Kondo模型的优秀平台。在与其他分子良好分离的K掺杂PSP分子上，我们在EF附近发现一个Kondo共振峰，其Kondo温度约为30 K。当附近存在另一个K掺杂PSP分子时，Kondo共振峰发生分裂，且分裂随分子间距离减小而逐渐增大，没有相变迹象。我们的数据展示了由于Kondo屏蔽与反铁磁RKKY耦合之间的竞争，Kondo单重态如何逐渐演化为反铁磁单重态，正如双杂质Kondo模型所描述。有趣的是，反铁磁单重态在升温时迅速被破坏，并在远低于Kondo温度时变回Kondo单重态。我们的数据为双杂质Kondo模型的相关理论与计算提供了全面的图像和定量约束。
引用
@article{arxiv.2109.02408,
title = {Two-impurity Kondo effect in potassium doped single-layer p-sexiphenyl films},
author = {W. Chen and Y. J. Yan and M. Q. Ren and T. Zhang and D. L. Feng},
journal= {arXiv preprint arXiv:2109.02408},
year = {2021}
}
备注
20 pages, 6 figures