内嵌原子双电子光电离

以 $He@C_{60}$ 为例，我们证明了富勒烯核的静态势能本质上改变了按单电子能量微分的双电子电离截面 $d\sigma ^{++}(\omega )/d\epsilon$。我们发现，在高光子能量下，由于第二个慢电子波在 $C_{60}$ 壳层上的反射，其中会出现显著的振荡，这种振荡在相对较高的 $\epsilon$ 值（约为 2$\div$3 个双电子电离势）下“消失”。结果以比率 $R_{C_{60}}(\omega ,\epsilon)\equiv d\sigma ^{++}(\omega ,\epsilon)/d\sigma ^{a++}(\omega,\epsilon)$ 的形式给出，其中 $d\sigma ^{a++}(\omega,\epsilon)/d\epsilon$ 是双电子微分光电离截面。我们计算了比率 $R_{i,ful}= \sigma_{i} ^{++}(\omega)/\sigma_{i}^{a++}(\omega)$，该比率考虑了 $C_{60}$ 壳层对两个光电子的反射。我们还计算了双电子光电离截面 $\sigma ^{++}(\omega)$ 的值，发现该值接近于孤立 $He$ 原子的值。