内嵌分子的广义振子强度

M. Ya. Amusia; L. V. Chernysheva; E. Z. Liverts

内嵌分子的广义振子强度

原子与分子团簇 2012-03-06 v1 原子物理量子物理

作者: M. Ya. Amusia , L. V. Chernysheva , E. Z. Liverts

摘要

我们研究了快速电子在包含富勒烯CN和原子A的内嵌原子A@CN上的散射。我们通过广义振子强度(GOS)密度来表达非弹性散射截面。我们考虑了CN对原子A电离的两个主要影响。即，电子被富勒烯壳层静态势的散射，以及由于入射电子束对富勒烯壳层的极化而导致的快速入射电子与原子电子之间相互作用的修正。为了获得效应的主要特征，我们将复杂的富勒烯壳层CN替换为静态零厚度势，通过CN极化率表示其在入射电子作用下的形变。我们在所谓的含交换随机相位近似(RPAE)框架内进行所有考虑，该近似对孤立原子的GOS以及绝对和微分角截面给出了可靠的结果。我们仅限于偶极和最大的非偶极贡献对微分角截面的影响。我们将快速电子散射与光电离作为目标电子结构信息的来源进行比较，并强调了快速电子散射的一些优势。作为具体的计算对象，我们选择了稀有气体内嵌物Ar@C60和Xe@C60。给出了两个转移动量q值的结果：q=0.1和1.0。即使在小的q=0.1（所谓的光学极限）下，与光电离情况的偏差也是显著且有启发性的。作为一个有趣且非常特殊的对象，我们研究了洋葱型内嵌物A@CN1@CN2，其中整个结构A@CN1被填充在CN2内，且N2 >> N1。

关键词

广义振子强度内嵌分子快速电子散射含交换随机相位近似富勒烯光电离

引用

@article{arxiv.1203.0649,
  title  = {Generalized oscillator strength of endohedral molecules},
  author = {M. Ya. Amusia and L. V. Chernysheva and E. Z. Liverts},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1203.0649},
  year   = {2012}
}

备注

30 pages, 11 figures

内嵌分子的广义振子强度

摘要

关键词

引用

备注

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