具有高阶带拓扑的二维轨道受阻绝缘体
介观与纳米尺度物理
2025-08-19 v2 材料科学
摘要
受阻原子相（及其在多种维度系统中的实现）最近被视为显示高阶现象的拓扑状态中具有最潜在潜力的类型。本文报告了一种特殊类型的阻挡，称为轨道介导的原子阻挡，存在于由空间群 - 描述的单层材料中。通过最小紧致模型和第一性原理计算，我们显示，这种受阻相与原子极限电荷中心与从 reciprocal 空间描述中获得的中心之间的错位有关。尽管我们发现对应于占据原子位点的原子极限，但轨道介导的原子阻挡要求存在在实空间中没有支撑的轨道。为证明阻挡的非平凡性，我们确认了与bulk配置直接相关的有限几何填满异常，并讨论了边界态及其背后的机制。 presented several material examples to illustrate the ubiquity of these nontrivial responses and, in turn, to discuss the differences related to the particular ground state configuration. In addition, we perform a survey of materials and elaborate a list of candidate systems which will host this obstructed phase in monolayer form.
引用
@article{arxiv.2412.09561,
title = {Two-dimensional orbital-obstructed insulators with higher-order band topology},
author = {Olga Arroyo-Gascón and Sergio Bravo and Mónica Pacheco and Leonor Chico},
journal= {arXiv preprint arXiv:2412.09561},
year = {2025}
}