基于第一性原理的二维反铁磁半导体 T'-MoTeI
材料科学
2022-08-17 v1
摘要
二维本征反铁磁半导体有望在自旋电子学领域脱颖而出。本工作通过第一性原理计算发现单层 T'-MoTeI 本征为一种反铁磁半导体。首先，Mo 原子的二聚化畸变使 T'-MoTeI 具有动力学稳定性，这不同于 T-MoTeI 声子谱中的小幅虚频。其次，T'-MoTeI 是一种带隙为 1.35 eV 的间接带隙半导体。最后，在系统的应变效应研究中，电子结构及带隙发生显著变化，但反铁磁基态未受影响。蒙特卡洛模拟预测 T'-MoTeI 的尼尔温度为 95 K。结果表明单层 T'-MoTeI 可作为自旋电子学应用的潜在候选材料。
引用
@article{arxiv.2112.15330,
title = {Two-dimensional antiferromagnetic semiconductor T'-MoTeI from first principles},
author = {Michang Zhang and Fei Li and Yulu Ren and Tengfei Hu and Wenhui Wan and Yong Liu and Yanfeng Ge},
journal= {arXiv preprint arXiv:2112.15330},
year = {2022}
}
备注
6 pages, 7 figures