半导体 MnTe 中磁电阻率的蒙特卡罗研究
材料科学
2015-06-03 v1 统计力学
摘要
我们在本文中研究了具有 NiAs 结构的磁性半导体 MnTe 中自旋电阻率的性质。MnTe 是一种具有大带隙的交叉半导体。它是一种反铁磁体，Néel 温度约为 310K。由于这一高 Néel 温度，其磁性质有许多应用。我们这里使用的方法是蒙特卡罗模拟，其中我们考虑了巡游自旋与晶格 Mn 自旋之间的相互作用。我们的结果显示，在 Néel 温度附近，自旋电阻率的形状与实验非常吻合。
引用
@article{arxiv.1111.1507,
title = {Monte Carlo Study of Magnetic Resistivity in Semiconducting MnTe},
author = {Yann Magnin and Hung The Diep},
journal= {arXiv preprint arXiv:1111.1507},
year = {2015}
}