NdMnAsO中Nd诱导的Mn自旋重取向转变
超导电性
2010-12-01 v1 材料科学
摘要
同步辐射X射线、中子粉末衍射、磁化强度、热容和电阻率测量的组合揭示NdMnAsO是一种具有大奈尔温度（TN = 359(2) K）的反铁磁半导体。在室温下，磁传播矢量k = 0，Mn磁矩沿晶格c轴方向（mMn = 2.41(6) BM）。冷却时，Mn磁矩发生自旋重取向转变进入ab平面（TSR = 23 K）。这与限制在基面内的Nd磁矩的长程有序同时发生。磁传播矢量保持k = 0。在基温（1.6 K）下，拟合的磁矩为mab,Mn = 3.72(1) BM和mab,Nd = 1.94(1) BM。电阻率以250 K处的宽峰为特征，在此峰以下具有金属性温度依赖性但半导体量级（rho250K = 50 Ohm cm，残余电阻率比 = 2），并且在自旋重取向转变处略有上升。
引用
@article{arxiv.1010.6145,
title = {Nd induced Mn spin-reorientation transition in NdMnAsO},
author = {A. Marcinkova and T. C. Hansen and C. Curfs and S. Margadonna and J. W. G. Bos},
journal= {arXiv preprint arXiv:1010.6145},
year = {2010}
}